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傳統(tǒng)的超結結器件深槽外延制造工藝，由于其開關軟度不夠，容易出現(xiàn)開關振蕩并引發(fā)電磁干擾（EMI）問題。安海半導體發(fā)明的超結產(chǎn)品具有專利技術的制程和器件結構設計，對多層外延工藝進行了優(yōu)化，提升了器件開關的軟度并改善了外延缺陷密度，解決了傳統(tǒng)超結結的EMI和外延缺陷可靠性的問題，其高開關頻率接近昂貴的GaN器件，而成熟的Si材料使得安海超結具備極高的可靠性。
650V-1500V高壓MOS
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650V-1500V高壓MOS
詳細信息 安海半導體采用超結的技術原理，基于其電荷平衡技術，襯底摻雜濃度可以大幅提高，超結結器件的特征導通電阻因而大幅降低。安海超結器件進一步優(yōu)化了工藝參數(shù)，器件內部電場更加均衡，性能也更加穩(wěn)定。
傳統(tǒng)的超結結器件深槽外延制造工藝，由于其開關軟度不夠，容易出現(xiàn)開關振蕩并引發(fā)電磁干擾（EMI）問題。安海半導體發(fā)明的超結產(chǎn)品具有專利技術的制程和器件結構設計，對多層外延工藝進行了優(yōu)化，提升了器件開關的軟度并改善了外延缺陷密度，解決了傳統(tǒng)超結結的EMI和外延缺陷可靠性的問題，其高開關頻率接近昂貴的GaN器件，而成熟的Si材料使得安海超結具備極高的可靠性。
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