金升陽緊跟功率半導體市場動向，推出QAxx3D-2GR3（下文稱：QA-R3系列驅動電源），可有效應用于1700V及以下電壓的IGBT/SiC MOSFET上，為IGBT/SiC MOSFET的驅動器提供高可靠、高效率的驅動電源方案。
一、產品介紹
1）高可靠性保障
QA-R3系列驅動電源在變壓器設計上采用了獨特設計，通過增加原副邊爬電距離，使得電氣間隙滿足14.5mm的安規(guī)要求，隔離電容3.5pF，隔離電壓達到5000VAC（基于EN61800-5-1標準要求）；產品采用加強絕緣設計，極大提高了可靠性。
該系列還滿足EN50178/EN61800-5-1標準要求，通過EN62368認證（認證中），符合UL62368設計要求；高可靠的設計保證其可有效應用于1700V及以下電壓的IGBT/SiC MOSFET上，為IGBT/SiC MOSFET的驅動器提供高可靠的驅動電源方案。
2）效率高達88%
采用獨特電路設計方案，在電路設計上，減小了原副邊漏感的影響，極大地提升產品效率，使得產品效率高達88%，處于行業(yè)領先地位。
3）單路2.4W輸出功率，雙通道輸出，設計更靈活
采用雙通道輸出設計，單路輸出功率可達到2.4W，兩通道之間滿足加強絕緣要求（5000VAC隔離），有效降低了客戶的使用成本和占板面積使得客戶設計更加靈活。
二、產品應用
QA-R3系列驅動電源依靠高可靠性能，可滿足1700V及以下的常規(guī)IGBT/SiC MOSFET，應用領域涵蓋軌道交通，智能電網，風力發(fā)電，新能源，電機傳動，充電樁等。
三、產品特點
●效率高達88%
●隔離電壓高達5000VAC(加強絕緣)
●最大容性負載200uF
●隔離電容3.5pF typ.
●工作電壓范圍：-40℃ to +105℃
●整機材質符合CTI 1類
●專為1700V IGBT/SiC MOSFET驅動器設計
●符合UL62368、EN61800、EN50178標準認證要求
